电子级试剂（高纯盐酸、高纯硝酸、高纯氢氟酸、高纯过氧化氢、高纯氨水）是半导体、光伏、液晶显示、LED（发光二极管）制造中湿法蚀刻、清洗、显影的关键化学品，金属杂质（Fe、Cu、Ni、Cr、Pb、Na、K）含量需控制在ppb（10⁻⁹）至ppt（10⁻¹²）级别（SEMI国际半导体设备与材料组织标准G1-G5）。工业级试剂（金属杂质ppm-ppb级）需经进一步纯化才能达到电子级。生石灰（高纯CaO）及其衍生物（Ca(OH)₂、CaCO₃）可作为沉淀剂、吸附剂，去除工业酸（HCl、HNO₃、HF）中的金属离子和硅化物。石灰本身（CaO）须达到电子级纯度（金属杂质<1ppm），否则会引入新的污染。

高纯盐酸（HCl，半导体级）的生产工艺：工业合成盐酸（31%-36%，金属杂质Fe 0.5-5ppm，Cu 0.1-1ppm，Ni 0.1-0.5ppm，Pb 0.1-0.5ppm）与电子级石灰乳（由电子级CaO加水消化，浓度5%-10%）在反应釜中搅拌反应（常温-50℃，30-60分钟），发生反应：2HCl + Ca(OH)₂ → CaCl₂ + 2H₂O；同时Fe³⁺、Cu²⁺、Ni²⁺等金属离子与OH⁻生成Fe(OH)₃、Cu(OH)₂、Ni(OH)₂沉淀（部分被CaCO₃（石灰中杂质）吸附）。反应液静置（或过滤），去除沉淀（金属氢氧化物、CaCO₃、CaSO₄），滤液（含HCl（过量）、CaCl₂、水）进入精馏塔（石英或PTFE（聚四氟乙烯）内衬），通过共沸精馏（或恒沸精馏）分离出高纯氯化氢气体（HCl），用高纯水吸收，得到高纯盐酸（HCl 31%-33%，金属杂质<0.1ppb）。石灰沉淀法可去除工业盐酸中90%-99%的金属杂质（特别是Fe、Cu、Pb），但Na⁺、K⁺去除效率低（50%-70%），需结合离子交换（阳离子交换树脂）或电渗析（ED）进一步脱盐。石灰（Ca(OH)₂）的纯度至关重要：CaO≥99.9%，Mg≤10ppm，Fe≤5ppm，Cu≤1ppm，Pb≤1ppm，As≤1ppm，颗粒度-325目（<44μm）。电子级石灰的制备（由高纯石灰石（CaCO₃≥99.95%）在清洁环境（1000-1100℃）煅烧，避免接触金属（用刚玉坩埚、石英窑），冷却、粉碎、密封包装（防潮）。

高纯氢氟酸（HF，电子级）用于硅片蚀刻（SiO₂+4HF→SiF₄↑+2H₂O）。工业无水氟化氢（AHF，纯度99.9%，含SiF₄、AsF₃、H₂SO₄、金属离子）需纯化。将AHF气体通入电子级石灰乳（5%-10% Ca(OH)₂，0-5℃）洗涤，发生反应：2HF + Ca(OH)₂ → CaF₂↓ + 2H₂O；SiF₄ + 2Ca(OH)₂ → 2CaF₂↓ + SiO₂↓ + 2H₂O；AsF₃ + 3Ca(OH)₂ → Ca₃(AsO₃)₂↓ + 3H₂O（或生成砷酸钙）。洗涤后的HF气体（含水蒸气、微量HF）经冷凝（-30℃至-10℃）、精馏（石英塔，理论塔板数30-50），得到高纯HF（沸点19.5℃，金属杂质<0.1ppb，Si<50ppb）。石灰洗涤法能有效去除SiF₄（硅杂质）和AsF₃（砷杂质），但对金属离子（Fe、Cu、Ni）去除有限，需在精馏前通过亚沸蒸馏（低于沸点温度下蒸发）进一步纯化。电子级石灰中的Ca、Mg、Fe、Cu、Pb、As会进入洗涤液（CaF₂沉淀），若石灰纯度不足，会反向污染HF气体（氟化钙颗粒夹带）。因此，高纯HF制备采用“石灰洗涤-亚沸蒸馏-精馏”组合工艺，石灰仅用于预除杂（粗净化）。

高纯过氧化氢（H₂O₂，电子级）用于硅片清洗（SC-1、SC-2标准清洗液）。工业H₂O₂（27.5%-35%）含有机物（蒽醌、溶剂）、金属离子（Fe、Cu、Cr）、稳定剂（磷酸、锡酸盐）。用电子级碳酸钙（由电子级石灰碳化制得：Ca(OH)₂ + CO₂ → CaCO₃↓ + H₂O）吸附H₂O₂中的有机杂质和部分金属离子。将碳酸钙粉末（比表面积50-100m²/g）加入H₂O₂溶液中，搅拌1-2小时，过滤（或离心），碳酸钙吸附有机物（蒽醌类、芳烃类）和Fe、Cu，提高H₂O₂的纯度（有机物TOC<10ppm，金属<0.1ppb）。吸附后的H₂O₂再经离子交换（阳离子+阴离子树脂）和反渗透（RO）浓缩，得到电子级H₂O₂（30%-31%，SEMI G3-G5）。碳酸钙吸附法也可用于高纯氨水（NH₃·H₂O）、高纯硝酸（HNO₃）的纯化（吸附金属离子）。

生石灰在电子级试剂生产中的应用，是“超纯化”链条中的一环。它作为“沉淀剂”、“吸附剂”，以自身的高纯（99.9%-99.99%）换取目标化学品的高纯（99.9999999%）。微电子行业有句话：“芯片的纯净，始于石灰的纯正；石灰不纯，芯片难精。”——电子级石灰是半导体“超净世界”的基石。